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[校内新闻] 斯蒂文斯理工成功研制出大面积的石墨稀网格结构

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发表于 2014-9-12 19:43:39 |显示全部楼层
2014年09月11日,斯蒂文斯理工的Junjun Ding和Ke Du等人发表一篇关于制备大面积石墨稀网格结构的文章。在此之前,石墨稀的网格结构倍受材料科学界的关注,其原因之一是通过改变颈宽,石墨稀的导电性可以得到有效的控制。这项技术已经被应用于新一代的电子器件。石墨稀材料透明,韧性强,且只有一个原子层的厚度。而且,由于本身不需要参杂便可改变其导电性,石墨稀已经受到许多半导体巨头的关注,其中包括IBM和Intel等等。石墨稀有望代替传统的III, IV族材料,成为新一代的半导体核心材料。

然而,由于制备工艺复杂,制备大面积的石墨稀网格结构异常困难。Junjun Ding等人采用干涉光刻技术结合超厚的干刻掩膜技术,可以制备出颈宽仅20纳米的纳米网格。20纳米仅为干涉光刻最小周期的十分之一!

此文章已经发表在美国真空学会的权威杂志journal of vacuum science and technology b上,全文可在此处下载:
J. Ding, K. Du, I. Wathuthanthri, C.H. Choi, F.T. Fisher, and E.H. Yang (2014). 'Transfer Patterning of Large-Area Graphene Nanomesh via Holographic Lithography and Plasma Etching, Journal of Vacuum Science and Technology B, 6 (32), 2166.
http://scitation.aip.org/content ... 6/10.1116/1.4895667



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发表于 2014-9-17 16:04:18 |显示全部楼层
Junjun ~DING!!!!
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